二次电子分辨率
高真空模式：1.0nm @ 30kV；3.0nm @ 1kV
低真空模式：1.4nm @ 30kV；3.0nm @ 3kV
环境真空模式：1.4nm @ 30kV
背散射电子分辨率
高真空和低真空模式：2.5nm @ 30kV
加速电压

200V～30kV，连续可调
样品台移动范围

X=Y=150mm

主要配件

1. 能谱仪（EDS）：OXFORD X-Max^N（50），可对B-U之间的元素进行分析

2. 电子背散射衍射仪（EBSD）：OXFORD NordlysMax²，可进行晶体取向、晶粒尺寸、织构等分析

3. 拉伸台：GATAN DEBEN MICROTEST 2KN，在样品拉伸、弯曲过程中可原位动态观察和分析