1.分辨率： 二次电子图像：0.6 nm (15 kV),0.7 nm (1 kV);背散射电子像：1.5 nm (15 kV); 2.着陆电压范围为20V ～ 30 kV, 束流范围为0.8 pA ～ 100 nA（15 kV）、0.8 pA ～ 100 nA（2 kV）、0.8 pA ～ 100 nA（1 kV); 3. 具备STEM探头; 4. 配备有防样品被空气氧化的传输装置.

1. 二次电子、背散射电子成像;2.可以同时获取BF、DF以及HAADF图像;3.EDS能谱分析（点、线、面）;

1.样品尺寸直接30 mm以内，厚度10cm以内；2. 无磁性

材料、化学化工、半导体、地质学、生物学、物理学等领域

1.新材料形貌分析；2. 能谱分析等